产品应用
MOCVD行业用材料
- 分类：产品应用
- 发布时间：2022-01-11 19:27:10
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♦ MOCVD用钨钼组件
MOCVD是以III组、II族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。通常MOCVD系统中的晶体生长都是在常压或低压(10-100Torr)下通H2的冷壁石英(不锈钢)反应室中进行，衬底温度为500-1200℃，用射频感应加热石墨基座(衬底基片在石墨基座上方)，H2通过温度可控的液体源鼓泡携带金属有机物到生长区。
♦ 洛阳科凯可以为您提供高温炉用的钨钼及其合金材料，其中包括：
1、钨发热体
2、铼发热体
3、钨钼组件
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